下一代半导体存储器，迎来新突破！

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研究人员开发了一种新的制造技术，能够在低温下生产高质量的氧化膜和有效的图案化，并制造出非易失性电阻式随机存取存储器。通过克服现有制造技术的缺点并开发具有出色耐用性的存储器，它有望用于下一代计算系统。

最近，数据密集型计算系统设备)的发展增加了对新一代非易失性存储器的需求，这种存储器具有出色的耐用性、更高的运行速度、且功耗低。电阻式随机存储器是存储器的一种，通过电流改变存储信息。

溶液工艺技术作为一种开发电阻式随机存取存储器的方法而备受关注，它可以实现大面积的经济高效制造。然而，它的缺点是只能在高温下工作，并且形成均匀的图案具有挑战性。

该研究小组由电子工程与计算机科学系的Hyuk-jun Kwon教授领导，该研究的第一作者是Bong-ho Jang。

Kwon教授的团队将燃烧合成技术与溶液工艺相结合，克服了这些缺点。燃烧合成技术利用放热反应，利用燃烧过程中产生的热量来合成材料。因此，该技术有助于解决溶液过程的缺点，因为不需要从外部提供高温。

Kwon教授的团队将该技术应用于溶液工艺的前体，即使在较低的温度下，也能通过与紫外线的光化学反应获得高质量的氧化锆薄膜和光图案化效果。

此外，研究团队还利用该技术生产了电阻式随机存取存储器。所制造的电阻式随机存储器具有显着的耐用性，在高温环境下可耐受超过1,000次循环，并保留数据超过100,000秒。

此前，Kwon教授的研究团队已应用燃烧合成技术在低温下生产SnO2 薄膜晶体管。这项研究通过克服现有解决方案工艺技术的局限性并开发出一种新型的电阻式随机存取存储器，扩大了该技术的应用范围。

电气工程与计算机科学系的权教授表示:“这是显着改善现有溶液工艺技术问题的结果。它也有望为下一代密集计算系统和基于溶液工艺的电子产品的大规模生产做出贡献。”设备。”

该研究发表在《材料科学与技术杂志》上。

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